近年，IoTの高まりとともに無線通信の高速・大容量化が進み，広帯域が使用可能なミリ波帯が注目を集めている．一般的に，ミリ波デバイスは高周波特性の優れた化合物半導体や先端CMOSプロセスが用いられるが，高コストであることが問題となっていた．そこで，低コストプロセスである0.18μm CMOSプロセスを用いてミリ波集積回路を実現するために，nMOSFETのレイアウトの最適化を行い，最大発振周波数(fmax)の向上を実現した．提案したnMOSFETを試作し，評価した結果，fmaxが従来に比べて25%向上し，50GHzとなった．また，電圧無依存の寄生抵抗成分と電圧依存の成分を分離するcold FET法を用いて，fmaxの周波数まで対応した大信号モデルを作成した．