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ポスターセッション発表概要
GaN素子を用いたスイッチングデバイスにおける放射不要電波の広帯域評価
○渡邊 航,小松 美早紀,青井 舞,田中 聡,永田 真(神戸大学)
GaN(ガリウムナイトライド)等の次世代半導体素子の発展に伴い高圧・高速で駆動される半導体スイッチングデバイスは電子機器の小型化・高効率化に有効である一方で、スイッチングノイズの増強化・広帯域化を引き起こしている。あらゆる情報が無線通信を介してやり取りされるIoT社会においては、こうした不要電波が引き起こす無線通信干渉の影響が大きく対策が不可欠である。本研究ではGaN素子を用いたDC/DCコンバータ評価ボードから放射される不要電波特性を6GHzの広帯域で評価し、その発生要因を解明した。電源装置の動作条件に応じて不要電波の主な発生源が変化するため、デバイスの用途に応じて適切な対策が求められる。
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