チャージトラップ型の3D-NAND型フラッシュメモリでは、トンネル酸化膜からの電荷のデトラップ及び積層方向への電荷移動によりデータ保持中に信頼性を低下させてしまう。積層方向への電荷移動に対処するために隣接するメモリセルのしきい値電圧(Vth）に近づけるようにSSDコントローラーで書き込みデータを変調して、積層方向への電荷移動を抑制するVth Nearingを提案する。この提案技術ではメモリセル間の電界を低減することにより積層方向への電荷移動を抑制して、Vthの低下を抑制することができる。その結果、データ保持中のエラーを40%削減し、データを保持できる時間を2.8倍に増加させることが可能になった。