低電源電圧動作と周波数安定性を両立するアンプ不要レプリカバイアススイッチング手法を用いたゲートリーク電流利用型発振器を提案する．安定した周波数を生成するために，ゲートリーク電流と容量値から周波数を決定する従来手法を採用した．さらに，本研究では，ディジタル回路とレプリカスイッチを使用して低リークスイッチをバイアスすることで従来手法のコンセプトをアンプなしで再現し，発振器の低電源電圧動作を可能にした．試作チップの測定結果より，電源電圧を250mVまで下げられることを確認した．また，電源電圧500mV以下のゲートリーク電流利用型発振器として，世界最高性能の200ppmアラン分散フロアを電源電圧350mVで達成した．