集積回路が微細化と共に製品の高性能化が進み、用途の異なるトランジスタの性能が要求されている。また、ソフトエラーによる信頼性の低下が問題視されている。
ソフトエラーとは一過性のエラーであり再起動することで回復可能であるが、人命に関わる機器では深刻な問題となっている。
近年、IoT社会においてリーク電流が問題視されている。
本研究では、65 nm FDSOIプロセスの低しきい値低消費電力
(LP)トランジスタと高しきい値低スタンバイ電力 (LSTP)トランジスタのチップでソフトエラー耐性の比較を行った。その結果、LPに比べ、LSTPのチップのほうがソフトエラー耐性が約2倍高いことが判明した。