集積回路の微細化とともに信頼性の低下が問題となってきている．原因の１つとして放射線起因の一時故障であるソフトエラーが存在する．再起動で回復可能ではあるが，１つのエラーが人命に関わるような分野では対策が必須である．ソフトエラー耐性の評価において，実測では多額の費用と時間がかかるため，シミュレーションが重要視されている．65nm FDSOIデバイスにおいて，デバイスシミュレーションを用いて，デバイスの各種パラメータを変更することで、どのように静特性に変化を及ぼし，ソフトエラー耐性に影響を及ぼすかを評価する．