集積デバイスの微細化により、わずかな電荷付与でもソフトエラーを誘発する可能性が出てきた。これまで二次宇宙線に含まれる粒子でソフトエラーを起こすのは中性子のみと考えられてきた。ミュオンは地上の二次宇宙線の70%を占めながら、電荷付与量が少ないために考慮されてこなかった。本研究では正・負ミュオン起因ソフトエラーの実測に取り組み、65nmバルクSRAMに対する照射実験結果を紹介する。更に負ミュオンと中性子によるソフトエラー発生のメカニズムや電圧依存性についても議論する。