本稿では 65-nm SOTB プロセスで製造され，広範囲な電圧領域で安定して動作するRISC プロセッサに関し述べる．既存の 6T SRAM マクロの代替として，スタンダードセルのみで構成された完全ディジタル型メモリを実装することで，定格電圧から 0.3 V までの幅広い電源電圧でプロセッサが安定動作することを示す．電源電圧およびバックゲート電圧の同時調節により，完全ディジタル型メモリの電力は 20 μW 以下となり，環境発電のような微弱な電力源で安定動作する．本稿では，プロセッサに搭載された完全ディジタル型メモリがレモン電池のみで動作することを示す．