非ケルビン測定であるRF測定では，トランジスタの端子にかかる直流バイアス電圧が正確にはわからない．バイアス電圧を知るためには，テスト構造の寄生抵抗を見積もる必要がある．本研究では，伝送線路を含むRF MOSFETテスト構造の寄生抵抗についてRF測定，DC測定を行い，直流電圧降下の推定を行った．