CMOSの微細化に伴う諸課題を解決する技術として、時間領域処理を用いたADCが注目されている。これまで、従来の電圧領域処理と時間領域処理を組み合わせたADCが提案されているが、動作速度が遅いという欠点があった。そこで、われわれはFlash ADCと時間領域処理を組み合わせた新しいADCアーキテクチャを提案した。さらに、高線形容量結合型ランプ回路、しきい値調整機能を有するラッチ回路を開発した。これらの技術を総合して、65 nm CMOS技術で8 bit ADCを試作し、サンプリング周波数500 MHz、消費電力2.0 mW、FOM 32 fJ/conv.-stepの性能を得た。