高速かつ低電力動作可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている。ReRAMの動作には3.0V程度の電圧が必要であり、これまでに1.0V動作書き込み電圧生成回路が提案されている。しかし、プロセスの微細化により周辺回路の電源電圧が0.6Vに低電圧化されたため、0.6V動作書き込み電圧生成回路が求められている。本論文では、0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路と書き込みデータサイズに応じたバッファ電圧最適化手法を提案する。提案手法により、データサイズが大きいとき(5kByte)書き込み時間が16%減少し、またデータサイズが小さいとき(512Byte)書き込み時間が13％減少する。