MOSFETデバイスの性能をモデル化し特徴付ける鍵となる、飽和領域のドレイン電流(Ids)特性化は難しい。このときドレイン電流特性が線形から飽和領域に移行するポイント、ピンチオフ点を正確に求めることが重要であり、このときの速度飽和のパラメータνsatは物理パラメータとして極めて重要である。この研究では、90nmNチャネルMOSFETのドレイン電圧(Vds)に対するIdsを用いた速度飽和のパラメータνsatの以下の二つの抽出方法を示している。(1)Ids-Vdsの測定結果からIdssat,Vdssatを抽出しそれらを用いてνsatを抽出する。(2)(1)に直列抵抗を考慮に入れνsatを再度抽出する。これらの方法からモデル作成の運び、シミュレーション結果比較を示す。