情報を取得し外部に送信するまでの一連のシステムを一つのチップ上で行うマイクロシステムの実現を目指し研究を行っている。本研究では標準CMOSプロセスで作成可能なPN接合に対して光情報を取得するセンサ機能と発電素子としての機能をもたせることとし高性能化を目指した。N-Wellと周辺ノーダミーエリアを数通りの組み合わせで設計し、0.18μmCMOSプロセスで作製した。そのセンサのI-V特性を測定・比較し評価を行った。