微細化・ブースト技術により１００ＧＨｚ動作が可能になったシリコンＣＭＯＳは、ミリ波・テラヘルツ波帯ＲＦ回路へ利用されつつある。しかしＲＦ回路はテクノロジー進歩に応じた回路面積の縮減が困難であり、特に広い帯域が求められる増幅器は段間整合回路により大きくなる傾向にある。コスト抑制のため小面積技術が求められる。
本発表はＤ帯（１１０～１７０ＧＨｚ）の小面積広帯域ＣＭＯＳ増幅器を報告する。段間整合回路を最小に抑える手法を提案し、コアサイズ０．０２３㎟、０．０５６㎟の小面積シングルエンド、差動増幅器を実現した。それぞれ、１５ｄＢ（４１ＧＨｚ）、２０ｄＢ（２２ＧＨｚ）の最大利得（および３ｄＢ帯域）を得た。