集積回路の微細化に伴いソフトエラーや製造ばらつきなど信頼性が低下している。本研究は２８ｎｍ　ＦＤＳＯＩプロセスの製造ばらつきとソフトエラー耐性の関係を評価した。ＤＦＦのスレーブラッチの構造が異なるレイアウトを３種類設計した。α線照射より、同一回路構造で最大２．６倍のソフトエラー耐性の差が見られた。製造ばらつきがソフトエラー耐性に影響していると考え、フリップフロップ（ＦＦ）毎の最低保持電圧（Ｖｍｉｎ）を調べた。その結果、製造ばらつきの影響を受け、Ｖｍｉｎが高くなったＦＦはＶｍｉｎの低いＦＦと比べて１０倍以上のソフトエラー耐性が見られた。ばらつきの小さいＦＦがソフトエラー耐性が強いことが分かった。