近年，システムLSIの低消費電力化が求められている．システムLSIの消費電力の大部分を占めるのはメモリであり，メモリの低消費電力化のためにSTT-MRAMが注目されている．STT-MRAMは2つの異なる磁性抵抗状態をデータとして保持するが，低電圧においては従来回路では2つの磁性抵抗状態に対し十分な差分を得る事が出来ず読出しが困難であった．提案回路では，読出し回路の入力を多段階切り替え制御し，読出し回路への入力電圧をリングオシレータによりデジタル値に変換しデジタル処理により読出しを行う．この提案回路により基盤バイアス制御なしに全てのプロセスコーナにおける0.4V動作が実現可能であることをシミュレーションにより確認した．