本発表では、18nm厚のパリレン絶縁膜を用いた2.0V動作有機トランジスタ(OTFT)を高歩留まりで実現するプロセス手法を報告し、低電圧OTFTのウェアラブルセンサへの応用を検討する。過去に報告されてきたOTFTの一般的な駆動電圧は10V以上であり、市販のバッテリー3.5V程度での動作電圧実現は困難とされてきた。本手法は、絶縁膜成膜前のゲート電極に対して酸素プラズマ処理を施す事で、高い絶縁性を有する18nm厚みの薄膜パリレン絶縁膜を実現し、2.0Vで動作するOTFTを開発した。本発表ではデモンストレーションを行い、開発した低電圧トランジスタを用いたウェアラブルセンサへの応用について紹介する。