本研究は、医療用体内埋植非接触給電システムを想定した高効率な受電側のアクティブダイオード型CMOS全波整流器の設計を行った。メインパワートランジスタ制御用のコンパレータの遅延により生じる逆流電流を、電圧遅延変換DLL制御を用いたZero Voltage Switching（ZVS）動作の実現によって抑制することに成功した。提案回路で用いている電圧遅延変換DLL制御は、レプリカ遅延回路を必要とせず、既存ZVS手法にと比べてPVTばらつき耐性に優れる。提案回路の設計には0.18μm標準CMOSプロセスを使用し、最大電力変換効率は39mW出力時に78%となった。