ミリ波帯では，集積回路から電力を低損失に出力することが難しいという問題がある．化合物半導体では，半導体基板を直接導波管に挿入し，モード変換する手法が実現されている．本研究では，その手法をCMOSで実現するために，基板の端の伝送線路構造を設計することで，低損失，広帯域で導波管に出力することを目標にしている．前回までの，研究において，導波管に差し込む部分の伝送線路構造を同軸線路に似せることで変換できることを提案した．そこで，本研究では，試作を考えた上での各パラメータの感度の検討を行った．