撮像素子の各画素ごとに複数のCCDメモリ素子を作り込み，センサ素子内に複数枚の画像を記録する画素周辺記録型撮像素子の報告以来，超高速撮像素子の研究開発が進み，最高フレームレートは16Mfpsに達している．現在，100Mfps，1Gfpsの実現を目指した裏面照射型マルチ電荷収集ゲート構造を持つ撮像素子が提案されている．本研究では，この構造によりどのくらいの撮像時間分解能が可能かを，モンテカルロ法を用いたシミュレーションにより解析した