近年、ＬＳＩの微細化の進展に伴い、トランジスタのしきい値電圧ばらつきの影響が、回路動作に対して顕著に出てくるという問題が起きている。特に、ＣＭＯＳ ＳＲＡＭ回路は、しきい値電圧ばらつきの影響を受けやすく、場合によっては回路が正常に動作しないといった問題が起きている。そこで本研究では、６トランジスタ型ＣＭＯＳ ＳＲＡＭセルを構成する６つのトランジスタそれぞれに、外部から任意のしきい値電圧値を設定することが可能な評価用ＴＥＧを開発し、ＳＲＡＭセルのしきい値電圧ばらつき耐性を、実測により評価した。