エレクトロニクスソサイエティ

 

ソサイエティ特別企画

CK-1. エレクトロニクスソサイエティ・プレナリーセッション  ~エレクトロニクス技術が拓くICT社会 40年の歩みと今後の展望~
(エレクトロニクスソサイエティ運営委員会)

9月12日 13:30〜17:00 自然科学本館 1F 103講義室 司会 荒川太郎(横浜国大)

13:30-
13:35
開会挨拶 エレクトロニクスソサイエティ会長 粕川秋彦(古河電工)
13:35-
14:25
特別講演1
「SPICE誕生から40年,アナログ回路シミュレータの最新動向とその将来像」
講師: 浅井秀樹 氏(静岡大学 教授)
概要: SPICEが誕生してから40年が経った.SPICEは,日本の半導体産業,特に,アナログレベルの回路設計とシミュレーション技術と言う観点から不可欠のツールとして広く活用されてきた.近年では,シグナル・インテグリティ/パワー・インテグリティ(SI/PI)検証技術として益々,重要となっている.その間,日本の産業は,半導体からコンシューマ・エレクトロニクスの時代を経て,自動車やさらには,IoTへと変遷してきている.そして,産業応用の拡大は,SI/PIとはもとより,昨今,電磁妨害(EMI)も併せて重要視されるようになった.本講演では,SI/PI/EMI検証技術の最新動向とその将来像について述べる.
14:25-
15:15
特別講演2
「高電子移動度トランジスタ(HEMT)の開発」
講師: 三村高志 氏 (株式会社富士通研究所 名誉フェロー)
概要: 1980年に誕生したHEMT (High Electron Mobility Transistor)は,異種半導体からなるヘテロ接合界面に形成される2次元電子ガスを電界効果によって制御するトランジスタである.素子の基本構造や製作技術において従来デバイスとは一線を画するユニークなデバイスであったため実用化にはかなりの困難が予想されたが,5年後の1985年には電波望遠鏡の低雑音増幅器としてデビューした.1987年頃には衛星放送受信器として広く普及し,さらに近年では携帯電話システムにも利用されている.講演ではHEMTの開発経緯を振り返り,発明の背景や実用化を成功させた要因などについて述べる.

 休 憩(15分)

15:30-
16:20
特別講演3
「VCSEL オデッセイ」
講師: 伊賀健一 氏 (東京工業大学 名誉教授/元学長)
概要: 1977年に筆者が発案した“面発光レーザー”の発案から,広範な応用展開について紹介する.大きさが数ミクロンとそれまでより2桁ほど小さく,レーザー光を共振させる方向が垂直であるために,垂直共振器型面発光レーザー(Vertical Cavity Surface Emitting Laser: VCSEL)とも呼ばれる.小さいレーザーなのであるが群をなすと輝きを増す“すばる星”を見る思いである.
 2000年頃から,イーサネット用の大量生産に入り,コンピュータマウスに投入されて11億個が生産された.レーザープリンター用にアレイ化されたデバイスが開発されて,高速,高精細機が実用化された.最近では,AI用のライダー,スマホの顔認識など,IoTからAIにわたる広範囲な産業化が始まって年2500億円もの規模になろうとしている.また,チャンスを活かす15の法則についても触れる.

 休 憩(10分)

16:30-
17:00
表彰式(エレクトロニクスソサイエティ賞ほか)

依頼シンポジウム

CI-1. 紫外線発光デバイスの最新動向
(レーザ・量子エレクトロニクス研専)

9月11日 13:00〜16:45 自然科学本館 2F 201講義室   座長 八木英樹(住友電工)

  講演時間:各30分
座長挨拶:5分
CI-1-1 AlGaN深紫外LEDの高効率化の現状と展望
  平山秀樹(理研)
CI-1-2 AlGaNによる深紫外(λ<300nm)LEDの実用化と将来予測
  ○平野 光・長澤陽祐・一本松正道(創光科学)
CI-1-3 紫外領域における半導体エミッタの進展
  吉田治正(三重大)
CI-1-4 AlGaN系紫外レーザおよび紫外線センサの展望とその課題
  ○岩谷素顕・竹内哲也・上山 智(名城大)・赤﨑 勇(名城大/名大)

休 憩(10分)  座長 山口敦史(金沢工大)

CI-1-5 深紫外LED 実用化の鍵となる基板作製技術
  ○三宅秀人・正直花奈子・林 侑介・Shiyu Xiao・上杉謙次郎・永松謙太郎(三重大)
CI-1-6 横型疑似位相整合極性反転AlN導波路を用いた深紫外光源
  ○片山竜二・山口修平・小野寺卓也・山内あさひ・上向井正裕(阪大)・林 侑介・三宅秀人(三重大)
CI-1-7 深紫外プラズモニクスの開拓と高効率発光への応用
  岡本晃一(阪府大)
CI-2. 人工知能と材料・デバイス
(電子デバイス研専)

9月13日 13:25〜17:00 自然科学本館 2F 208講義室   座長 葛西誠也(北大)

  講演時間:各40分
座長挨拶:5分
CI-2-1 マテリアルと知能:分子ネットワークによる情報デバイスの構築
  松本卓也(阪大)
CI-2-2 工学的視点での脳科学
  高橋宏知(東大)
CI-2-3 ナノマテリアルとニューロモルフィックデバイス
  田中啓文(九工大)

休 憩(10分)  座長 前澤宏一(富山大)

CI-2-4 イジングマシンでの実験条件探索と最適化によるAu原子接合の作製と量子状態制御
  白樫淳一(東京農工大)
CI-2-5 粘菌アメーバに学ぶ知能システム
  青野真士(慶大)
CI-3. IoT時代の電源技術
(集積回路研専)
一般公開:本企画の聴講は無料です.直接,会場へお越し下さい.

9月13日 13:00〜17:00 自然科学本館 1F 109講義室   座長 名倉 徹(福岡大)

  講演時間:各45分
CI-3-1 Interface Circuit Design for Energy Harvesting: State of the Art and Challenges
  Toru Tanzawa(Shizuoka Univ.)
CI-3-2 微弱環境エネルギー利用に向けた電源回路技術
  廣瀬哲也(神戸大)

  座長 柘植政利(ソシオネクスト)

CI-3-3 IoTデバイスの電池交換不要化と小型化を実現する電源制御技術
  ◎高 虹・佐藤弘幸・中本裕之(富士通研)

休 憩(15分)  座長 高梨孝一(ローム)

CI-3-4 パワーエレクトロニクスとLSIの異分野連携:IGBT向けデジタルゲートドライバIC
  ○高宮 真・宮崎耕太郎・崔 通(東大)・小原秀嶺(横浜国大)・萬年智介・和田圭二(首都大東京)・附田正則(北九州市環境エレクトロニクス研究所)・安部征哉・大村一郎(九工大)・桜井貴康(東大)
CI-3-5 IoT時代到来に向けた電源技術戦略と電源技術
  ○野田一平・志和屋陽一(リコー電子デバイス)
CI-4. 次世代デバイスを担う有機エレクトロニクスデバイスの現状
(有機エレクトロニクス研専)

9月14日 9:00〜11:45 自然科学本館 2F 208講義室   座長 中 茂樹(富山大)

  講演時間:各25分
CI-4-1 発光電気化学セルの電荷状態のESR直接観測と素子動作機構の微視的解明
  丸本一弘(筑波大)
CI-4-2 分子配向制御を用いた有機薄膜太陽電池の高性能化
  當摩哲也(金沢大)
CI-4-3 エアフローを利用した有機ペロブスカイト太陽電池の作製と特性
  森 竜雄(愛知工業大)

休 憩(15分)  座長 森 竜雄(愛知工業大)

CI-4-4 低コスト・高純度共役高分子を用いた有機薄膜デバイスの開発
  ○安田 剛(物材機構)・桑原純平・神原貴樹(筑波大)
CI-4-5 ラミネート法による反透過型有機太陽電池の作製
  ○中 茂樹・庄田圭佑・森本勝大・岡田裕之(富山大)
CI-4-6 有機薄膜太陽電池の都市機能への融合 -建築設備分野を中心に-
  吉本尚起(日立)

エレクトロニクス1・エレクトロニクス2の冊子論文集に掲載されているセッション

「エレクトロニクス1」・「エレクトロニクス2」に掲載されているうちの「エレクトロニクス2」の表記用
CK-1. エレクトロニクスソサイエティ・プレナリーセッション  ~エレクトロニクス技術が拓くICT社会 40年の歩みと今後の展望~
(エレクトロニクスソサイエティ運営委員会)

9月12日 13:30〜17:00 自然科学本館 1F 103講義室 司会 荒川太郎(横浜国大)

13:30-
13:35
開会挨拶 エレクトロニクスソサイエティ会長 粕川秋彦(古河電工)
13:35-
14:25
特別講演1
「SPICE誕生から40年,アナログ回路シミュレータの最新動向とその将来像」
講師: 浅井秀樹 氏(静岡大学 教授)
概要: SPICEが誕生してから40年が経った.SPICEは,日本の半導体産業,特に,アナログレベルの回路設計とシミュレーション技術と言う観点から不可欠のツールとして広く活用されてきた.近年では,シグナル・インテグリティ/パワー・インテグリティ(SI/PI)検証技術として益々,重要となっている.その間,日本の産業は,半導体からコンシューマ・エレクトロニクスの時代を経て,自動車やさらには,IoTへと変遷してきている.そして,産業応用の拡大は,SI/PIとはもとより,昨今,電磁妨害(EMI)も併せて重要視されるようになった.本講演では,SI/PI/EMI検証技術の最新動向とその将来像について述べる.
14:25-
15:15
特別講演2
「高電子移動度トランジスタ(HEMT)の開発」
講師: 三村高志 氏 (株式会社富士通研究所 名誉フェロー)
概要: 1980年に誕生したHEMT (High Electron Mobility Transistor)は,異種半導体からなるヘテロ接合界面に形成される2次元電子ガスを電界効果によって制御するトランジスタである.素子の基本構造や製作技術において従来デバイスとは一線を画するユニークなデバイスであったため実用化にはかなりの困難が予想されたが,5年後の1985年には電波望遠鏡の低雑音増幅器としてデビューした.1987年頃には衛星放送受信器として広く普及し,さらに近年では携帯電話システムにも利用されている.講演ではHEMTの開発経緯を振り返り,発明の背景や実用化を成功させた要因などについて述べる.

 休 憩(15分)

15:30-
16:20
特別講演3
「VCSEL オデッセイ」
講師: 伊賀健一 氏 (東京工業大学 名誉教授/元学長)
概要: 1977年に筆者が発案した“面発光レーザー”の発案から,広範な応用展開について紹介する.大きさが数ミクロンとそれまでより2桁ほど小さく,レーザー光を共振させる方向が垂直であるために,垂直共振器型面発光レーザー(Vertical Cavity Surface Emitting Laser: VCSEL)とも呼ばれる.小さいレーザーなのであるが群をなすと輝きを増す“すばる星”を見る思いである.
 2000年頃から,イーサネット用の大量生産に入り,コンピュータマウスに投入されて11億個が生産された.レーザープリンター用にアレイ化されたデバイスが開発されて,高速,高精細機が実用化された.最近では,AI用のライダー,スマホの顔認識など,IoTからAIにわたる広範囲な産業化が始まって年2500億円もの規模になろうとしている.また,チャンスを活かす15の法則についても触れる.

 休 憩(10分)

16:30-
17:00
表彰式(エレクトロニクスソサイエティ賞ほか)