電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
CI-3-4
パワーエレクトロニクスとLSIの異分野連携:IGBT向けデジタルゲートドライバIC
○高宮 真・宮崎耕太郎・崔 通(東大)・小原秀嶺(横浜国大)・萬年智介・和田圭二(首都大東京)・附田正則(北九州市環境エレクトロニクス研究所)・安部征哉・大村一郎(九工大)・桜井貴康(東大)
パワーエレクトロニクスとLSIの異分野連携の例として、パワートランジスタの一種である絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT))向けのデジタルゲートドライバICの開発事例について紹介する。