電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
CI-1-6
横型疑似位相整合極性反転AlN導波路を用いた深紫外光源
○片山竜二・山口修平・小野寺卓也・山内あさひ・上向井正裕(阪大)・林 侑介・三宅秀人(三重大)
本研究では、AlNに代表される強い光学非線形性を呈するワイドギャップ半導体を用いて作製した第二高調波発生素子をInGaNレーザで励起することで、深紫外光の発生を目指している。その際、AlNは複屈折性が弱く強誘電性を持たないことから、従来の角度位相整合や周期的分極反転疑似位相整合を用いた第二高調波発生素子に代わる、新たな素子構造と作製プロセスが必要となる。本講演では、導波モード分散による位相整合と積層方向への極性反転構造の導入による非線形分極波と高調波の重なり積分の最大化を用いた新規な位相整合法である、横型疑似位相整合法について解説し、素子開発の現状を紹介する。