電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
CI-1-5
深紫外LED 実用化の鍵となる基板作製技術
○三宅秀人・正直花奈子・林 侑介・Shiyu Xiao・上杉謙次郎・永松謙太郎(三重大)
高効率深紫外光源実現のために高品質AlN/サファイア テンプレートが求められている。三重大学では、スパッタ法による成膜とFace-to-Face法を用いた高温アニールにより、サファイア基板上においても低転位密度のAlN薄膜が作製可能であることを報告してきた。シンポジウムでは、X線回折FWHM値やAFM表面像、透過電子顕微鏡像などを用いて、スパッタ成膜アニールAlN膜の評価結果を示すとともに、MOVPE法によるAlNホモエピタキシャル結果も報告する。