電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
CI-1-4
AlGaN系紫外レーザおよび紫外線センサの展望とその課題
○岩谷素顕・竹内哲也・上山 智(名城大)・赤﨑 勇(名城大/名大)
AlGaN系材料はバンドギャップに対応する光の波長域がAlNモル分率を制御することによって200nmから360nmまで可変であることから、紫外発光素子材料として広く研究が進められている。AlGaN結晶の高品質化によって紫外発光ダイオードにおいては広い波長域において外部量子効率が10%を超える高性能なデバイスが複数の研究機関から報告されており、サンプル出荷も始まりつつある。これらのデバイスは殺菌を始めとした様々な応用分野の拡大が期待されている。その一方で、紫外領域の応用分野を考えると高性能紫外レーザおよび紫外光センサの実現が期待される。本講演では、AlGaN系材料の紫外レーザおよび紫外線センサの課題、そのポテンシャルに関して詳細に説明する。