電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
CI-1-2
AlGaNによる深紫外(λ<300nm)LEDの実用化と将来予測
○平野 光・長澤陽祐・一本松正道(創光科学)
2015n年より、波長300nm以下の深紫外LEDが量産化された。凹凸構造の量子井戸を持ち、さらにPコンタクト層、Pクラッド層にはGaNが用いられているが、高い内部量子効率と光取り出し技術により、電力効率は10%が視野に入っている。これは、高圧・超高圧水銀灯をLEDに置き換えることを可能にする。水銀灯の効率は、全波長積分で10%を超える場合があるが、すべての波長は利用されないため、総合効率でLEDは水銀灯を上回る。さらに、量産に適した285nmLEDは殺菌にも使える。