電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-12-4
データ保持電圧を用いたSRAMソフトエラー耐性のばらつき解析
◎林 直輝(東大)・小林大輔・廣瀬和之(東大/JAXA)・梯 友哉・川崎 治(JAXA)・牧野高紘・大島 武(量子科学技術研究開発機構)・松浦大介・毛利伊晴・草野将樹・成田貴則・石井 茂・益川一範(三菱重工)
トランジスタの微細化によりSRAMのソフトエラー耐性のばらつきが大きくなっている.従来から知られている放射線試験でチップやセルごとのばらつきを調べようとすると,全てのチップに対し放射線を相当量照射する必要がある.これは膨大な費用がかかるため現実的でない.また,SRAMを劣化させてしまうという本質的な課題がある.本研究では,SRAMセルがデータを保持できる最小の電圧,データ保持電圧に着目した新たなソフトエラー耐性の解析方法を提案する.実験の結果,データ保持電圧とソフトエラー耐性に,原理から予想された通りの相関を得た.データ保持電圧がSRAMのソフトエラー耐性を調べるための有効な指標になり得ることが期待される.