電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-8-10
二重SQUID構造RSFQ分布型アンプの特性評価
◎樋口孔明・島田 宏・水柿義直(電通大)
我々はRSFQ回路の出力を室温機器で読み出すためのオンチップ超伝導出力インターフェース回路として分布型アンプの試作を以前行った。最大出力電圧は数値計算で3.28mV、測定では3.97mVであった。今回は出力電圧の向上のため、1段あたりのSQUIDの数を1個から2個に増やした2段二重SQUID構造RSFQ分布型アンプの設計、試作および評価を行った。数値計算では最大出力電圧が6.30mVとなり、単一SQUID構造のそれと比較して1.92倍に増加した。測定では最大出力電圧が6.89mVとなり単一SQUID構造のそれと比較して1.74倍に増加した。