電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-6-3
スパッタリング法によるZn過剰ZnO薄膜の作製と発光特性の評価
◎山本峻也・内堀智樹・原 祥大・三浦健太・野口克也・加田 渉・花泉 修(群馬大)
酸化亜鉛(ZnO)は,ワイドバンドギャップ半導体の一つであり,近年は,その広いバンドギャップを利用した透明導電体としての応用が検討されているが,発光材料としてもよく知られており,主にバンドギャップによる紫外発光(波長380nm付近)と,酸素欠陥等による緑色発光(波長550nm付近)が得られることがわかっている.今回,ZnとZnOの共スパッタによりZn過剰ZnO(ZnO:Zn)薄膜を作製したところ,顕著な赤色発光帯を観測したので報告する.