電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-4-31
広帯域・低電圧駆動InP系光変調器
○布谷伸浩・小木曽義弘・尾崎常祐・中野慎介・上田悠太・橋詰泰彰・菊池順裕(NTT)
通信容量の増大に伴い、デジタルコヒーレント光通信の高シンボルレート・多値化が求められており、これに対応可能な変調器の材料としてInP系半導体が注目されている。我々は、半波長電圧1.5Vで動作するInP変調器と、1チャンネル当たり180mW、DP-IQ変調を1W以下で実現するCMOSドライバを一体化した、64Gbaudドライバ一体集積InP変調器を開発した。また、更なる広帯域化に向けた取り組みを進め、n-i-p-n層構造と容量装荷型進行波電極を採用した超広帯域InP変調器を実現し、128GBaud QPSK変調動作を達成したので報告する。