電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-4-12
キャリア変動による利得特性変化を考慮した電圧変調1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの大信号解析
◎後藤優征・吉冨翔一・山中健太郎・西山伸彦・荒井滋久(東工大)
通信用光源における半導体レーザの変調速度を超える可能性がある素子としてトランジスタレーザ(TL)が提案され、我々は1.3-µm帯での発振を実現してきた。前回、電圧変調動作を想定した大信号特性計算を報告したが、キャリアの変動によるキャリア寿命の変化や非線形な利得特性変化を考慮していなかった。今回は、そのような変化を考慮し、緩和振動の両端面反射率積R1×R2依存性が見られる大信号応答のシミュレーションを行った。