電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-4-11
1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの高温連続動作
○吉冨翔一・山中健太郎・後藤優征・西山伸彦・荒井滋久(東工大)
従来の直接変調型半導体レーザの変調速度を上回る高速動作が期待される素子として、トランジスタレーザ(TL)が提案されている。当研究室では1.3 µm帯TLの40°Cまでの連続動作を実現してきた。今回、変調動作を想定して素子の電極パターンを調整するとともに、それにより放熱性を改善し、電極パターンを調整した1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP TLの静特性を測定した。その結果、しきい値電流や外部微分量子効率に関しては以前報告した素子と同程度であったものの、長波長帯TLにおいて最高温度となる90°Cまでの連続動作を実現した。今後、熱特性を考慮しつつ、変調動作に向けたRF信号印加部分の小型化などを実装し、高速変調動作の実現を目指す。