電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-3-59
大強度入力用導波路集積ゲルマニウムフォトダイオードの構造検討
○前神有里子・岡野 誠・叢 光偉・大野守史・山田浩治(産総研)
本研究では、導波路集積型フォトダイオードとしてSiスラブ上に2つに分離したGe層を形成し、これらのGe層に挟まれたSiスラブ領域にSi光導波路を接続した構造を提案し、その基本設計を行った。従来の典型的なGeフォトダイオードは、Siスラブ上に形成されたGe層が光の伝送経路に接しているため、入力光はGe層の入力側の極狭い領域で吸収されていた。本構造は、Ge層が入力光の経路から少し離れた外側に位置するため、光は入射後の拡散を介してGe層の広い領域に徐々に吸収され、フォトキャリア密度を低減することが明らかになった。