電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-3-44
ArF液浸リソグラフィで作製したエレファントカプラ
○吉田知也・渥美裕樹・面田恵美子・榊原陽一(産総研)
シリコンフォトニクスの光結合技術として、イオン注入によりシリコン光導波路の先端を立体湾曲し表面方向から光回路に結合する“エレファントカプラ”を開発している。本方式では光波が立体湾曲部を伝搬して垂直方向に進行するため低損失かつ広帯域の表面結合器を実現可能である。しかしその加工法はMEMS的なプロセスとCMOS的なプロセスが混合した独特なものであるため、実用化するためには量産プロセスとの整合性を検証しながらプロセス開発を進める必要がある。本報ではその様な観点から、エレファントカプラの実用化の鍵となるイオン遮蔽犠牲層による位置制御性向上プロセスについてと、ArF液浸露光による逆テーパー形成プロセスについて報告する。