電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-3-6
SiN:D導波路を用いた90度オプティカルハイブリッドの特性
◎相原卓磨・開 達郎・浅野元紀・西 英隆・土澤 泰・松尾慎治・福田 浩(NTT)
通信トラフィックの増大に伴い、通信用光デバイスの小型・低コスト化が求められている。この要求に対し、成熟したCMOSプロセスを利用し、大口径Si基板上に小型・高集積な光デバイスを作製できるSiフォトニクス技術が期待されている。Si導波路は、コアの屈折率が高いことから、光回路の小型・高集積化を可能とする一方で、厳しい加工精度が要求される。我々は、Siよりも屈折率が低く、加工トレランスの高いSiNに着目し、SiNをパッシブ光デバイス材料として用いたSi基板上光集積回路の実現を目指してきた。バックエンドプロセスによりSiNデバイスを作製するために、これまでに、光通信波長帯において低損失なSiNの低温成膜技術を確立してきた。
本報告では、このSiN膜を用いて、光通信システムの主要部品である90度オプティカルハイブリッドを作製し、特性を評価したので報告する。