電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-49
バイアス条件を考慮した電磁波曝露下の半導体素子のIM特性測定
○安藤佑悟・久我宣裕(横浜国大)
バイアス条件を考慮した半導体素子の非接触IM測定法について検討している.本手法では,プリント基板上のダイポール素子中央に被測定素子を接続し,これをIM測定器に接続された送受信共用アンテナの近傍に配置することで,電磁波曝露下におけるIM特性を評価している.また,チョークインダクタを装荷したバイアス回路をダイポール素子に取り付けることで,被測定素子にバイアス電圧を供給している.本稿では2種類のダイオードを用い,2GHz帯における実験的検討により提案手法の有効性を確認している.その結果,バイアス電圧のIMへの影響がダイオードの種類に依存することが確認された.