電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-42
金属箔直接接合による低損失インダクタのRF特性評価
◎松浦圭汰・梁 剣波(阪市大)・前澤宏一(富山大)・重川直輝(阪市大)
携帯端末等に内蔵されている高周波部品・回路の小型化・高機能化に伴い、受動素子の低損失化が求められている。我々は先行研究で表面活性化接合法(SAB法)を利用してサファイア(0001)基板上にAl箔を用いた高周波配線を作製した。そこで本研究では、サファイア基板上に厚さが17µmのAl箔をSAB法で貼り合わせ、ミアンダコプレーナ型RFインダクタを作製した。また同一のサファイア基板上に真空蒸着によりAlを1µm成膜させた比較試料を作製し、Al箔のHigh-Q化の可能性を検討した。測定結果から、Al箔インダクタのL値はモデル解析に基づいた値と一致し、Al蒸着層と比べて良好なQ値が得られた。よってAl箔等の金属箔を用いることで、高周波電子回路・部品の性能向上が期待される。