電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-22
チップ内蔵樹脂基板技術を用いた3次元Si/GaN S帯送信モジュールの試作
○川崎健吾・桑田英悟・石橋秀則・柴田博信・石田 清・前田和弘・矢尾知博・森 一富・津留正臣・下沢充弘(三菱電機)
気象レーダーやマイクロ波加熱などの高出力のマイクロ波が求められるアプリケーション向けに複数のモジュールの出力を同相合成する高出力マイクロ波装置が開発されている.送信モジュールには,それぞれ位相・振幅制御機能,高出力化,及び小型・低コスト化が求められる.これらを両立するために,前段は低コストで集積化が容易なSiGeチップで位相振幅制御機能を備えた回路を構成し,最終段は高出力に有利なGaNチップで増幅器を構成するのが有効と考えられる.しかしながら,GaNチップとSiGeチップを基板上に並べて実装すると,それぞれのチップサイズ及び実装に必要なチップ間距離がモジュールの小形化を制限してしまう.ここでは,GaNチップとSiGeチップを3次元実装することで小型化を図ったS帯送信モジュールを試作したので,その結果について述べる.