電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-19
2.45GHz帯100W級高効率GaN-HEMT電力増幅器
○八木下洋平・細田雅之・曽我育生・川野陽一・作山誠樹(富士通研)
高周波・高出力デバイスとして知られる窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN-HEMT)を用いて、2.45GHz帯で動作する電力負荷効率76.3%, 119W出力のパワーアンプを開発した。ロードプル測定にて高効率マッチングインピーダンスを明確にし、アルミナ伝送線路基板を電磁界解析によりモデル化した結果、設計通りの結果を得た。