電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-16
マイクロ波加熱向け2.45GHz ISM 帯 450W 高効率GaN パレット型増幅器
◎杉谷拓海・弥政和宏・半谷政毅・河村由文・西原 淳・新庄真太郎(三菱電機)
GaN HEMT を用いたマイクロ波加熱向け2.45GHz ISM 帯450W 高効率GaN パレット型増幅器について報告する。GaN 高出力増幅器の効率向上を目的として、GaN HEMT の入力側および出力側の両方に2 倍波処理回路を装荷した2.45GHz ISM 帯GaN パレット型増幅器を開発した。評価の結果、CW 動作条件において2.45GHz にて出力電力 450W (56.5 dBm)、効率70%の世界最高レベルの性能を得た。