電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-11
5G向けKa帯GaN高効率ドハティ増幅器MMIC
◎中谷圭吾・山口裕太郎・小松崎優治・新庄真太郎(三菱電機)
高速大容量通信を実現する第 5 世代移動通信システム(5G)では周波数資源拡大のために,高SHF 帯以上の周波数帯が注目され,増幅器の低消費電力化の要求が高まっており,高効率動作が求められている.高効率化を実現する増幅器としてはドハティ増幅器が有用である[1].しかし,高SHF帯ではトランジスタ寄生容量(Cds)が大きく,C級動作時のインピーダンスもオフ抵抗も低くなるため高効率なドハティ動作の実現が困難となる.本稿では,5Gの主要な周波数帯域であるKa帯(>27GHz)において,高効率動作を実現するためにCdsのリアクタンス成分を中和するシャントインダクタを装荷したGaNドハティ増幅器MMICを検討した.試作の結果,周波数28.5GHzにおいて飽和出力電力35.6dBm(3.6W),電力付加効率26%,6dBおよび8dBバックオフ動作効率がそれぞれ23%と20%と良好な結果を得られた.