電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-3
C-Ku 帯高耐電力送受切替GaN スイッチ
○幸丸竜太・半谷政毅・杉本篤生・新庄真太郎(三菱電機)
近年送受信機の増幅器に GaNデバイスが用いられ高出力化が進んでいるが,高周波フロントエンド
モジュール内にて送信電力を受ける送受切替スイッチにも高耐電力特性が要求されることになる.
これまでに当社では送受信系がそれぞれ要求する特性の違いに対応した非対称型スイッチを報告してきた[1].しかし,送受切替スイッチは送受信系がともに低損失特性であることに加え,多様なシステムやIC チップの汎用化に対応するため広帯域な特性が望まれている.そこで本報告ではC-Ku 帯の4 倍帯域にて動作するGaN デバイスを用いた高耐電力スイッチの試作・評価を行った結果について述べる.