電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-2-2
80 nm InP-HEMTテクノロジを用いた300 GHz帯多値変調トランシーバ用高アイソレーションミキサ
◎濱田裕史・堤 卓也・杉山弘樹・松崎秀昭(NTT)・岡田健一(東工大)・野坂秀之(NTT)
近年の無線通信システムの通信速度向上はめざましく,5Gでは,最大10 Gb/sのデータレートが実現予定である.将来的には,更なる高データレート化が予想され,5Gの次世代システムBeyond-5Gでは,100 Gb/sが期待されている.ミリ波・THz帯は,帯域幅を広くとることができるため,高速無線通信に好適である.我々はこれまで,300 GHz帯においてASKを用いた高速無線トランシーバの研究開発を進めてきた.さらなる高データレート化のためには,300 GHz帯トランシーバの多値変調対応が重要な課題である.今回,多値変調トランシーバのキーデバイスであるミキサ回路およびモジュールの検討を行ったので報告する.