電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
B-4-53
光走査式変調散乱素子を用いた高周波電界の分布計測
○黒澤孝裕(秋田県産技セ)・駒木根隆士(秋田高専)
半導体を散乱体とした光学的変調散乱素子を用いた高周波電界計測システムにおいて,高速な電界分布計測が期待できる,光走査式の計測システムを試作した.整合終端したマイクロストリップラインを電磁波源とし,2 GHzの信号を給電した.波源直上に設置したアンドープゲルマニウム基板を散乱体とし,これにダイオードレーザの出力光を照射して変調散乱素子とした.角度可変ミラーで散乱体上の光照射位置を走査し,各位置における散乱波強度を計測することにより,高周波電界の強度分布を求めた.得られた分布はマイクロストリップライン近傍の面内電界分布と定性的に一致しており,光走査による高周波電界の分布計測を可能とした.