電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
B-1-93
準ミリ波帯シリコンハイブリッドMEMSフェイズドアレイアンテナの基礎検討
◎山本崇広・伴野友彦・古塚 岐・鈴木健一郎(立命館大)
我々は、位相を制御する移相器に低損失MEMSスイッチを適用してPAAの高周波回路を簡略化することを目標に、先に高抵抗Si基板を用いたMEMS移相器の作製・評価を報告したが、移相器表面パターンと裏面グランドを導通するViaがMEMSスイッチプロセスと相性が悪いために移相器の高周波特性が劣化するという問題が発生が生じた。今回、TSV (Through-silicon via) 技術を用いることでこの問題を克服することにした。