電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-9-6
アモルファス酸化物半導体の欠陥・物性に関する理解とデバイス応用の現状
◎井手啓介・Junghwan Kim・片瀬貴義・平松秀典・雲見日出也・細野秀雄・神谷利夫(東工大)
アモルファス酸化物半導体a-In-Ga-Zn-O (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は2004年に初めて報告された新しい半導体であり、従来の共有結合性半導体であるアモルファスSiなどとは物性、電子構造、欠陥種が大きく異なる。本講演では、これまで報告されてきた欠陥に関する知見を総括するとともにデバイス応用について述べる。
特にa-IGZOが酸素を主成分として含むにもかかわらず、酸素種、すなわち過剰酸素および酸素欠損がTFT特性へ重大な影響を与えることや、イオン性アモルファス半導体が示す構造緩和について述べる。また硬X線光電子分光測定から得られた、酸素欠損や水素が形成する欠陥準位に関する最新の理解を報告する。