電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-9-4
レアメタルフリー金属酸化物半導体Ga-Sn-O 薄膜トランジスタ
松田時宜・梅田鉄馬・○木村 睦(龍谷大)
我々は、アモルファス酸化物半導体の一つとしてGa-Sn-O(GTO)に着目した。GTO は、IGZO と理
論的に類似の構造をもつため優れた特性・高い経時信頼性・低温作製可能などを実現できるが、IGZO と異なりレアメタルを含まないので、資源の枯渇やコストの懸念がない。我々はGTOの研究を進め、これまでに薄膜トランジスタ(TFT)の開発に成功している。本講演では、GTO TFTについて、報告する。