電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-6-3
多結晶Si基板上に形成したGaN系ナノ柱状結晶の諸特性
○藤原亜斗武・下村和輝・佐藤祐一(秋田大)
多結晶Siウェハを基板としてGaN系のナノ柱状結晶を分子線エピタキシー装置により作製し,それらのモフォロジーおよびフォトルミネセンス(PL)特性を評価した。不純物ドーピングによりそのナノ柱状結晶の粒径が大きくなることが確認された。また,PL強度が不純物ドーピングにより増すことも併せて確認された。