電子情報通信学会ソサイエティ大会講演要旨
C-6-2
触媒反応支援CVD法によりR面サファイア基板上に堆積した非極性ZnO膜の偏光特性
安達雄大・池田宗謙・田島諒一・加藤有行・○安井寛治(長岡技科大)
我々は触媒反応により生成した高エネルギーH2Oビームを用いたCVD法を開発し,a面サファイア基板上において高品質なc面ZnO膜の成長に成功している.しかし極性面であるc面ZnO膜は成長軸に沿って内部電界が存在するため,量子井戸構造のデバイスにおいて,発光効率が低下することが懸念される.a面等の非極性ZnO膜を作製出来れば成長方向に沿っての内部電界が無くなる.そこで触媒反応を用いたCVD法によりr面サファイア基板上にa面ZnO膜を成長させ,その発光特性を調べたところバンド端発光において強い偏光特性を示したので報告する.